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氮化硅陶瓷是一种高性能的先进陶瓷材料,因其独特的物理和化学特性,在新能源汽车领域具有广泛的应用前景。本文将详细介绍氮化硅陶瓷的特性和在新能源汽车中的应用。
一、氮化硅陶瓷的特性
氮化硅陶瓷具有以下优异特性:
高硬度与耐磨性 :氮化硅陶瓷的高硬度和耐磨性使其在新能源汽车的机械部件中表现出色。例如,用于制造高性能轴承,能够在高转速和高负荷的条件下长期稳定运行,减少磨损,延长部件使用寿命。
低密度与高强度 :其低密度仅为轴承钢的约 42%,高强度和高弹性模量使其在减轻新能源汽车重量的同时,保证了机械部件的强度和刚性,有助于提高车辆的能效和加速性能。
良好的介电性能 :氮化硅陶瓷具有较高的绝缘电阻率和良好的介电性能,可在高温、高电压环境下保持稳定的绝缘性能。适用于制造新能源汽车的高压部件,如高压连接器、绝缘套管等,确保车辆的高压电气系统安全可靠运行。
高导热性和低膨胀系数 :氮化硅陶瓷基板的热导率高于 90W/mk,厚铜层具有较高热容量以及传热性。同时,其热膨胀系数与硅芯片接近,具有良好的热匹配性,适用于裸芯片的可靠封装,可及时散去大功率器件产生的热量,保证芯片的正常工作。
优异的耐化学腐蚀性 :氮化硅陶瓷能抵抗除氢氟酸外几乎所有无机酸的侵蚀,还具有良好的抗电化学腐蚀性能,可用于制造新能源汽车的冷却系统部件、电池包外壳等,保护车辆的关键部件免受腐蚀。
二、氮化硅陶瓷在新能源汽车中的应用
1.电子元器件封装
IGBT 封装 :IGBT 是新能源汽车电机控制系统的核心器件,约占电机驱动系统成本的一半。氮化硅陶瓷基板能够适应 IGBT 高温高压的工作环境,及时散去高热量,保护芯片正常工作,延长电子设备的使用周期。目前,氮化硅陶瓷基板已成为中高端 IGBT 模块散热电路板的主要应用类型。
SiC MOSFET 封装 :在新能源汽车的核心电机驱动中,SiC MOSFET 器件逐渐取代传统的 Si IGBT。SiC MOSFET 芯片面积小,对散热要求高,氮化硅陶瓷基板具备优异的散热能力和高可靠性,几乎成为 SiC MOSFET 在新能源汽车领域主驱应用的必选项。如特斯拉 Model 3 已经大批量使用氮化硅陶瓷基板应对 SiC MOSFET 器件散热。
2.高性能轴承
电机轴承 :新能源汽车的电机需要在高速、高效和高可靠性的条件下运行,氮化硅陶瓷轴承因其低密度、高硬度、高耐磨性和良好的耐腐蚀性,成为理想的电机轴承材料。与传统轴承钢相比,氮化硅陶瓷轴承的重量更轻,运转速度更快,使用寿命更长,能够显著提高电机的效率和可靠性。
其他机械部件中的应用 :除了电机轴承,氮化硅陶瓷轴承还可用于新能源汽车的变速器、差速器等机械部件中,提高车辆的动力传输效率和机械性能。
3.其他应用
进气系统部件 :氮化硅陶瓷可用于制造压气机涡轮、废气旁通阀等进气系统部件。这些部件在高温、高腐蚀性的排气环境中工作,氮化硅陶瓷的耐高温和抗腐蚀性能使其能够长期稳定运行,提高发动机的进气效率和性能。
微波真空钎焊应用 :氮化硅陶瓷在微波真空钎焊过程中具有良好的性能,可用于制造新能源汽车中的各种零部件。与传统钎焊方法相比,微波真空钎焊具有加热速度快、效率高、质量好等优点,能够提高零部件的生产效率和性能。
三、总结
氮化硅陶瓷以其高硬度、低密度、良好的介电性能、高导热性和低膨胀系数,以及优异的耐化学腐蚀性,在新能源汽车领域具有广泛的应用前景。它不仅能够满足新能源汽车对高性能、高可靠性和长寿命材料的需求,还能推动新能源汽车技术的不断进步和创新。随着新能源汽车产业的快速发展,氮化硅陶瓷的应用将越来越广泛,为新能源汽车的性能提升和市场推广提供有力支持。