AIN氮化铝陶瓷结构件

氮化铝陶瓷

氮化铝 (AlN) 具有与金属铝一样高的导热率、高电绝缘性、在氟基气体气氛下对等离子体具有高度耐受性，是半导体和医疗行业最理想的材料。典型应用包括：加热器、静电卡盘、基座、夹环、盖板和磁共振（MRI）设备。华民陶瓷基于材料工程和开发的深度，提供精湛的技术能力和可靠的量产能力，以满足客户在最先进的半导体和医疗应用领域的要求。

氮化铝陶瓷的加工方法：

氮化铝陶瓷可以经过激光加工、层压、金属加工、冲压、表面研磨加工等等。由于氮化铝陶瓷非常高的导热率（> 170 W/mK），高电绝缘能力（>1.1012Ωcm），耐压强度以及对熔融金属具有良好的耐腐蚀性等优异性能，导致氮化铝陶瓷产品广泛应用于高密度混合电路、微波功率器件、半导体功率器件、电力电子器件、光电元件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。此外，还用于散热基板、LED封装基板、半导体基板、薄膜电路基板、功率电阻基板等应用。